参观结束，一行人来到基地顶楼一间安保级别极高的专用会议室。

     厚重的隔音门关闭，只剩下核心的几人。

     短暂的沉默后，常浩南端起茶杯抿了一口，放下，目光直接投向吴明翰。

     “吴院士，抛开继续优化多重曝光和分辨率增强技术这条路不谈，在现有的193nmArF光源条件下，要想提升单次曝光的分辨率，还有没有更直接的技术路径？” 手握负折射材料这么个王炸，那最根本的解决方案当然是走向表面等离子体光刻，由携带高频信息的倏逝波取代低频的传输波成像，直接掘了当前半导体生产体系的祖坟。

     但这种事情相当于从零开始盖高楼，连理论基础都要重新来过，显然不是一朝一夕能完成的。

     所以为了应对眼前随时可能出现的危机，最好还是能在现有基础上，整出来点短平快的升级手段。

     吴明翰一直在思索常浩南的真正目的，但这个问题实在普通，深究不出什么东西来。

     只好照常回答： “在相同波长的光源下，不同型号光刻机，比如我们现在用的NXT：1950i和ASML更先进的NXT：2000i，它们性能差异的核心指标还是数值孔径（NA）和工艺系数。

    ” 他拿起激光笔，在桌面投射出一个简易的光路示意图： “NA值，简单说，决定了光学系统收集和汇聚光线的能力，这个项越高，理论上能达到的分辨率极限就越小。

    ” 激光笔的光点停留在象征物镜的透镜组位置： “具体来说，NA等于底镜、浸没液和光刻胶三者折射率（n）的乘积，再乘以孔径角半角的正弦值，当然光刻胶和孔径角的设计自由度有限，所以主要是另外两项的材料。

    ” “我们目前使用的NXT：1950i，是氟化钙底镜，配合2G系列的浸没液，NA最高能达到1.35左右，更先进的NXT：2000i，底镜是性能更好的氟化锂钡，浸没液也是优化的3G系列，能把NA推高到1.45左右。

    ” 吴明翰放下激光笔，看向常浩南： “不过，这基本就是传统技术路线的极限了。

    ” 常浩南一直专注地听着，此刻微微皱起了眉：“浸没液这块我不熟悉，不过……底镜为什么不能用折射率更高的材料？” 紧接着又补充了一个更详细的数字：“我记得……镥铝石榴石的折射率能接近1.9？” 这是之前做实验过程中用过的。

     这个问题一出口，会议室内包括周学、黄炜在内的所有人，几乎同时精神一振。

     倒不是说问题本